金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种用于OTDR的雪崩光电二极管结构及其制作方法”的专利，公开号CN120282553A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于OTDR的雪崩光电二极管结构及其制作方法，所述雪崩光电二极管结构包括InP倍增层，具体的：所述InP倍增层内设置有贯穿所述InP倍增层的保护环，所述保护环采用Zn扩散，以提高所述保护环的坡度斜率，以提高所述雪崩光电二极管结构的增益；所述InP倍增层上设置有介质膜，所述介质膜的厚度为8000Å‑10000Å，所述介质膜的材质为二氧化硅。本发明的结构内设置有保护环，通过增加保护环的坡度斜率，使得保护环的侧面倍增分压区电压减小，使得有效倍增区的电压增加，从而提高雪崩光电二极管的增益，使得OTDR具有高响应度和高灵敏度；此外，本发明在加工的过程中，通过控制侧面倍增分压区的高度，来降低隧穿电流，提高信噪比，提高OTDR的灵敏度。
天眼查资料显示，武汉光迅科技股份有限公司，成立于2001年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本79359.2652万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2181次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息1739条，此外企业还拥有行政许可92个。
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